Хусусиятҳои маҳсулот: Гармидиҳии лазерӣ барои гармкунии вафли нимноқилҳо

Тафсонидани вафлҳо як раванди муҳим дар истеҳсоли нимноқилҳо мебошад, ки фаъолсозии допантҳо, барқароркунии шабака ва ташаккули пайванди ултра-наздик (USJ)-ро дар бар мегирад. Тафсонидани анъанавии кӯраҳо ва коркарди босуръати гармӣ (RTP) аз буҷаҳои баланди гармӣ, паҳншавии допантҳои суст назоратшаванда ва якрангии нокифоя азият мекашанд, ки онҳоро барои гиреҳҳои пешрафтаи технологӣ дар 7 нм, 5 нм ва болотар аз он, бахусус барои меъмории Gate-All-Around (GAA) ва хотираи флеши 3D NAND нокифоя мегардонад. Тафсонидани вафлҳо дар асоси лазер, бо нурпошии зудгузари энергияи баланд, дақиқии фазоии миқёси микрон ва паҳншавии минималии гармӣ, ҳамчун раванди асосии насли оянда барои қонеъ кардани ин талаботи истеҳсолии серталаб пайдо шудааст.

Принсипи асосии гармидиҳии лазерӣ

Сари гармидиҳии лазерии Wave Optics дорои тарҳи оптикии хусусӣ мебошад, ки нурҳои лазерии якхелаи энергияи баланд ва гармидиҳиро барои нурпошии дақиқи сатҳҳои вафл таъмин мекунад. Лазери сабз мутобиқати аълои ҷаббидашавиро бо маводҳои дар асоси кремний (аз ҷумла SiC) пешниҳод мекунад, ки имкон медиҳад коркарди гармии самараноки баланд бидуни осеб расонидан ба вафл анҷом дода шавад. Ин ба аз нав кристаллизатсия шудани қабати осебдидаи иондор ва фаъолсозии самараноки допант мусоидат мекунад. Баъдан, гузариши баланди гармии субстрат имкон медиҳад, ки хунуккунии ултра-суръат ба амал ояд, ки сохтори шабакаро ях мекунад ва паҳншавии допантро пахш мекунад. Ин раванд бомуваффақият пайвандҳои ултра-назарро бо самаранокии баланди фаъолсозӣ ва профили пайванди нишеб (якбора) ба вуҷуд меорад.

Тақвияти гармидиҳии лазерӣ барои беҳтар кардани ҳосили коркарди вафл муҳим аст

1. Якрангии шуоъ: Якрангии энергетикии нуқтаи шуои ҳамвор аз 95% (маъмулӣ) зиёд аст, ки аз обшавии аз ҳад зиёд ё кам гармшавии маҳаллиро аз байн мебарад.
2. Устувории энергия: Тағйирёбии пайвастаи энергияи баромад аз 2% камтар аст, ки мувофиқати аълои байни вафлҳо ва партия ба партияро таъмин мекунад.
3. Дақиқии тасвири сатҳӣ: Қисмҳои оптикӣ дорои арзишҳои PV/RMS дар миқёси нанометрӣ бо таҳрифи хуб назоратшавандаи мавҷҳои пеш мебошанд, ки аз осеб дидани нуқтаҳои гарм пешгирӣ мекунанд.
4. Чуқурии фокус ва шаклдиҳии шуоъ: Чуқурии танзимшавандаи фокус дар якҷоягӣ бо гомогенизатсияи интегратори шуоъ сканкунии пурраи майдони пластинаҳои диаметри калонро дастгирӣ мекунад.
5. Мутобиқсозии дарозии мавҷ: Барои бандҳои мавҷии ҷаббидашавандаи кремний ва нимноқилҳои насли сеюм (масалан, SiC, GaN) барои ба ҳадди аксар расонидани самаранокии истифодаи энергия оптимизатсия шудааст.

Се бартарии асосӣ нисбат ба гармкунии анъанавӣ

1. Саркӯбии аълои диффузияи допант - Таъсири гармӣ ба диапазони наносония то миллисония бо диффузияи қариб сифрии допант маҳдуд аст, ки ин қобилият бо гармкунии танӯр ё RTP дастнорас аст.

2. Буҷаи пасти гармӣ ва осеби ҳадди ақали дастгоҳ - Танҳо сатҳи вафл ҳарорати баланди муваққатиро аз сар мегузаронад, ки дар натиҷа деформатсияи гармии субстрат ё сохторҳои дастгоҳ ва вайроншавии сатҳи байнисатҳӣ ба амал намеояд.

3. Тақвияти дақиқи минтақаҳои интихобӣ - Нуқтаҳои танзимшавандаи шуоъ дар миқёси микронӣ тақвияти маҳаллиро барои ҳамгироии сеченака ва дастгоҳҳои ҳамгирошудаи гетерогенӣ дастгирӣ мекунанд.

Сенарияҳои татбиқ

Барномаҳо фаъолсозии манбаъ/резиш, таъмири канал ва гармкунии тамоси омӣ барои мантиқи пешрафта (GAA/CFET), дастгоҳҳои барқии DRAM/3D NAND, SiC/GaN, SOI ва дастгоҳҳои микро/нано-ро дар бар мегиранд. Гармкунии лазерӣ беҳбудиҳои ҳамзамонро дар ҳосилнокӣ ва кори дастгоҳ таъмин мекунад.

Тақвияти лазерӣ коркарди вафлиро аз тақвияти глобалӣ (пӯшида) ба тақвияти дақиқи маҳаллӣ интиқол медиҳад. Технологияи пуриқтидори оптикии он миқёспазирии доимӣ ва пешрафтҳои кори гиреҳҳои пешрафтаи нимноқилро дастгирӣ мекунад.

Варақаи мушаххасоти маҳсулот